ЭМ-5026Б

Установка двухстороннего совмещения и экспонирования
Предназначена для контактного (в зазоре) способа экспонирования верхней стороны полупроводниковой пластины или подложки, совмещая изображение на фотошаблоне с изображением на нижней (обратной) стороне пластины или подложки.
Диапазоны рабочих длин волн 225-260нм; 280-335нм; 350-450нм
Фотолитографическое разрешение 0.4 … 1.0мкм
Неравномерность освещенности рабочего поля диаметром 110 мм ±2.5%
Случайная составляющая погрешности совмещения:

— при совмещении по лицевой стороне ±0.2 мкм

— при совмещении по знакам на обратной стороне пластины ±1.0мкм

Диаметр обрабатываемых пластин 40; 50; 60; 76; 100мм
Размер фотошаблонов 76х76мм; 102х102мм; 127х127мм
Чувствительность привода манипулятора совмещения: по X, Y 0.01мкм; по углу 0.1секунд
Потребляемая мощность 900 Вт

Обратная связь